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真空度≤100Pa鍍膜機(jī)，200度硅片光刻預(yù)處理真空箱HMDS預(yù)處理系統(tǒng)的必要性：
在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個(gè)工藝環(huán)節(jié)，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時(shí)顯影液會(huì)侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗，同時(shí)濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到硅片表面后，經(jīng)烘箱加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?，其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合，起著偶聯(lián)劑的作用。
硅片光刻預(yù)處理系統(tǒng)（OAP真空烘箱）用于硅片光刻前預(yù)處理，以增加光刻膠粘結(jié)牢度，提高光刻質(zhì)量及良品率。
設(shè)備構(gòu)成及控制方式：設(shè)備主要由腔體，電氣控制箱以及真空泵組成。采用可編程控制器、操作界面為5.7” E-view觸摸屏加外部常用按鈕控制。
一、動(dòng)力要求
電源：AC380V,3相，50Hz,12KAV
壓縮空氣：0.5MPa, 外徑8mm接口
氮 氣：0.5MPa，外徑8mm接口
排 風(fēng)：烘箱排風(fēng)接口外徑90，泵排風(fēng)接口外徑45
二、標(biāo)準(zhǔn)配置
1.烘箱主機(jī)
2.機(jī)械泵
3.電磁真空帶充氣截止閥
4.40金屬波紋真空管
5.機(jī)械泵小車
6.電磁控制閥
網(wǎng)站：www.done-e.com.
真空度≤100Pa鍍膜機(jī)，200度硅片光刻預(yù)處理真空箱
